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元件参数资料
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参数目录42203
> RSD200N10TL MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
型号:
RSD200N10TL
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
RSD200N10TL PDF
产品目录绘图
CPT-3, D-PAK Series
特色产品
ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装
2,500
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
52 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
48.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2200pF @ 25V
功率 - 最大
20W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
CPT3
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1638 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
RSD200N10TLTR
查看RSD200N10TL代理商
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